¥376.99
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*页面数据最近更新时间：2026-05-18 09:51 (UTC+8)
至 2026-05-18 09:51，伦希尔存储芯片 ETF (DRAM) 股票价格报 ¥376.99，总市值 ¥0.00，市盈率 0.00，股息率 0.00%。 当日股票价格在 ¥364.75 至 ¥378.79 之间波动，当前价格较日内低点高 3.35%，较日内高点低 0.47%，成交量 --。 过去 52 周，DRAM 股票价格区间为 ¥364.75 至 ¥378.79，当前价格距 52 周高点 -0.47%。
DRAM 关键数据
昨日收盘价¥0.00
市值¥0.00
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股息收益率 (TTM)0.00%
流通股数0.00
伦希尔存储芯片 ETF (DRAM) FAQ
伦希尔存储芯片 ETF (DRAM) 今天的股价是多少？
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伦希尔存储芯片 ETF (DRAM) 当前报价 ¥376.99，24 小时变动 +1.61%。52 周交易区间为 ¥364.75–¥378.79。
伦希尔存储芯片 ETF (DRAM) 的 52 周最高价和最低价是多少？
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伦希尔存储芯片 ETF (DRAM) 今日新闻
2026-05-18 06:25Gate合约股票专区将于5月18日首发上线DRAM、HIMS、SHLD、IWM、FLNC五大永续合约，支持1-20倍杠杆交易Gate News 消息，据 2026 年 5 月 18 日官方公告，Gate 合约股票专区将首发上线 DRAM（伦希尔存储芯片 ETF）、HIMS（希姆斯健康）、SHLD（环球 X 国防科技 ETF）、IWM（贝莱德罗素 2000 ETF）、FLNC（弗伦斯能源）五个永续合约，上线时间为 2026 年 5 月 18 日 14:30 (UTC+8)。五个合约均以 USDT 结算，支持 1 – 20 倍做多和做空操作。
DRAM 是全球首只纯内存芯片主题 ETF，重仓美光、SK 海力士、三星电子等存储巨头。HIMS 为美国线上远程医疗平台。SHLD 被动跟踪全球国防军工指数，重仓美国军工龙头企业。IWM 是美股主流小盘股 ETF，跟踪罗素 2000 指数。FLNC 为全球储能系统龙头，主营大型锂电池储能设备和储能软件运维。2026-05-18 06:11英伟达有望在 2027 年超过苹果，成为最大的 LPDDR 使用方，容量将达到 60410亿 GB据 Hana Securities 和 Citrini Research 称，英伟达预计将在 2027 年成为低功耗 DRAM（LPDDR）最大的用户，原因是 AI 服务器需求激增。英伟达的 LPDDR 产能预计将从 2026 年的 60410亿 GB 增至 2027 年的 31440亿 GB，超过苹果和三星电子，并占全球总供给的 36%。分析师将这一转变归因于更新的 AI 系统，例如英伟达的 Vera Rubin，其耗用的内存显著高于传统设备。2026-05-16 15:21散户投资者在 5 月 11 日购买了 55 股新的 AI 记忆 ETF，并将其投资组合的 7% 分配给 DRAM5 月 11 日，44 岁的零售店经理 Brian Emes 在阿尔伯塔省莱斯布里奇购买了 55 股 Roundhill Memory ETF（DRAM）。该 ETF 仅在 4 月初刚刚推出。该持仓目前约占他投资组合的 7%，因此这是一笔押注人工智能以及内存芯片股票的集中型交易。
Emes 根据 Reddit 讨论帖和 YouTube 视频中的内容进行购买，这些内容强调了由 AI 驱动的对内存芯片的需求，并将其视为一个他不该错过的交易机会。2026-05-15 12:58AI 代理进化推动 DRAM 供应短缺至 30-50%，2027 年或将迎来下一波价格飙升：国泰君安海通据 Guru Club 称，5 月 15 日，国泰君安证券研究发现，由 AI 驱动的供应链通胀正在重塑半导体配置。传统 DRAM 供给短缺已达 30-50%，随着 AI 加速器争夺 HBM 资源，价格飙升。与此同时，亚马逊 AWS 和谷歌云打破了持续两十年的降价趋势以提高费用，表明成本压力正向下游传导至消费者。
从聊天到行动的 AI Agent 演进预计将引发下一轮通胀周期。2024-2025 年期间，代币消耗激增 300 倍；每项 Agent 任务所需的后端计算量比普通聊天多几十倍。这将推动 HBM 需求呈指数级增长，但供应扩张在晶圆消耗和良率约束方面面临瓶颈，显著的产能缓解预计要到 2027-2028 年才会出现。2026-05-13 06:31三星计划在 Q4 开始大规模生产 CXL 3.1 AI 服务器内存模块据《The Korea Herald》报道，三星电子计划在第四季度开始为 AI 服务器量产其 CXL 3.1 内存模块，此前该公司在第三季度进行了样品出货。CMM-D 3.1 模块将 DRAM 和 CXL 控制器集成在一块板上，支持最高 1 TB，并在 PCIe 6.0 上提供高达每秒 72 GB 的带宽。三星此前已向包括 Microsoft 和 Amazon 在内的 40 多家公司出货了 CXL 2.0 样品。
