Loại bộ nhớ NAND flash mới có khả năng chống bức xạ gấp 30 lần so với bộ nhớ flash truyền thống
Georgia Institute of Technology tại Mỹ đã nghiên cứu ra bộ nhớ NAND ferroelectric mới, sử dụng vật liệu hafnium oxit tương thích với công nghệ silicon, có đặc tính tự phân cực và có thể đảo chiều ferroelectric. Bộ nhớ này có khả năng xử lý nhiệm vụ AI mạnh mẽ, khả năng chịu bức xạ gấp 30 lần so với bộ nhớ flash truyền thống, thử nghiệm có thể chịu đựng tới 1 triệu rad, tương đương với 100 triệu lần chiếu tia X. Bài báo được đăng trên Nano Letters, cho thấy tiềm năng ứng dụng trong lĩnh vực lưu trữ thông tin, cảm biến, AI và chip tiêu thụ điện năng thấp.