Tiêu thụ điện năng thấp + độ tin cậy cao, nền tảng phần cứng của AI biên đã có rồi

Xem bản gốc
MarsBitNews
Loại bộ nhớ NAND flash mới có khả năng chống bức xạ gấp 30 lần so với bộ nhớ flash truyền thống
Georgia Institute of Technology tại Mỹ đã nghiên cứu ra bộ nhớ NAND ferroelectric mới, sử dụng vật liệu hafnium oxit tương thích với công nghệ silicon, có đặc tính tự phân cực và có thể đảo chiều ferroelectric. Bộ nhớ này có khả năng xử lý nhiệm vụ AI mạnh mẽ, khả năng chịu bức xạ gấp 30 lần so với bộ nhớ flash truyền thống, thử nghiệm có thể chịu đựng tới 1 triệu rad, tương đương với 100 triệu lần chiếu tia X. Bài báo được đăng trên Nano Letters, cho thấy tiềm năng ứng dụng trong lĩnh vực lưu trữ thông tin, cảm biến, AI và chip tiêu thụ điện năng thấp.
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim