DRAM

Roundhill Memory ETF Ціна

DRAM
₴2 350,56
+₴77,20(+3,39%)

*Дані востаннє оновлено: 2026-05-18 13:20 (UTC+8)

Станом на 2026-05-18 13:20 Roundhill Memory ETF (DRAM) має ціну ₴2 350,56, ринкова капіталізація становить ₴0,00, співвідношення ціни до прибутку — 0,00, дивідендна прибутковість — 0,00%. Сьогодні ціна акцій коливалася між ₴2 234,97 та ₴2 366,88. Поточна ціна на 5,17% вища за денний мінімум та на 0,68% нижча за денний максимум, з обсягом торгів --. За останні 52 тижні DRAM торгувався в діапазоні від ₴2 234,97 до ₴2 366,88, а поточна ціна знаходиться на відстані -0,68% від 52-тижневого максимуму.

Ключові показники DRAM

Вчорашнє закриття₴0,00
Ринкова капіталізація₴0,00
Співвідношення P/E0,00
Дивідендна прибутковість (TTM)0,00%
Кількість акцій в обігу0,00

Дізнатися більше про Roundhill Memory ETF (DRAM)

Статті Gate Learn

Останні оновлення Micron Technology (NASDAQ: MU) і аналіз динаміки вартості акційКомплексний аналіз Micron Technology (NASDAQ: MU) охоплює поточні бізнес-активності, вплив попиту на пам’ять, сформованого ШІ, на котирування акцій, ринкові перспективи та можливості для майбутніх інвестицій. Матеріал містить корисні орієнтири для інвесторів, які розглядають довгострокові стратегії.2026-01-16
Новий світ екстремальних інвестицій у стисненняУ цій статті розглядається новий підхід до аналізу активів, що виходить за межі традиційної моделі одного активу, і зосереджується на парадигмі MEME-іфікації. Автор детально аналізує структурні зміни глобальних активів під впливом ШІ, підкреслюючи перехід від циклічності, заснованої на фундаментальних показниках, до коротких періодів, якими керують масштабні наративи.2026-02-04
Останні новини щодо акцій MU: Розвиток штучного інтелекту стимулює стрімке зростання Micron TechnologyОзнайомтеся з актуальним фінансовим звітом Micron Technology (MU), аналізом динаміки акцій і прогнозом розвитку бізнесу, зумовленого впровадженням штучного інтелекту, щоб інвестори могли виявити перспективні напрямки для інвестування.2025-09-24

Поширені запитання Roundhill Memory ETF (DRAM)

Яка сьогодні біржова ціна Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x
Roundhill Memory ETF (DRAM) зараз торгується за ціною ₴2 350,56, 24-годинна зміна становить +3,39%. Діапазон торгів за останні 52 тижні: від ₴2 234,97 до ₴2 366,88.

Які найвищі та найнижчі ціни за 52 тижні для Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Що таке співвідношення ціни до прибутку (P/E) для Roundhill Memory ETF (DRAM)? Що воно означає?

x

Яка ринкова капіталізація Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Який розмір останнього квартального прибутку на акцію (EPS) для Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Чи варто зараз купити чи продати Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Які фактори можуть впливати на ціну акцій Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Як купити акції Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Попередження про ризики

Ринок акцій пов’язаний із високим рівнем ризику та цінової волатильності. Вартість ваших інвестицій може як зростати, так і знижуватися, і ви можете не повернути повну суму вкладених коштів. Минулі результати не є надійним показником майбутніх результатів. Перед ухваленням будь-яких інвестиційних рішень уважно оцініть свій інвестиційний досвід, фінансовий стан, інвестиційні цілі та рівень толерантності до ризику, а також проведіть власне дослідження. У разі потреби зверніться до незалежного фінансового консультанта.

Застереження

Вміст цієї сторінки надається виключно з інформаційною метою і не є інвестиційною порадою, фінансовою порадою чи торговою рекомендацією. Gate не несе відповідальності за будь-які втрати або збитки, що виникли внаслідок таких фінансових рішень. Зверніть увагу, що Gate може не надавати повний сервіс на окремих ринках і в окремих юрисдикціях, зокрема, але не обмежуючись, Сполученими Штатами Америки, Канадою, Іраном та Кубою. Для отримання додаткової інформації щодо обмежених локацій, будь ласка зверніться до Користувацької угоди.

Інші торгові ринки

Останні новини Roundhill Memory ETF (DRAM)

2026-05-18 06:25Зона акційних контрактів Gate буде вперше запущена 18 травня з перпетуальними контрактами на DRAM, HIMS, SHLD, IWM, FLNC, що підтримують торгівлю з плечем 1–20xGate News повідомлення, згідно з офіційним оголошенням Gate від 18 травня 2026 року Розділ Gate для контрактів на акції буде запущено з 18 травня 2026 року о 14:30 (UTC+8) з первинним лістингом DRAM (ETF на чіпи пам’яті Lonchill), HIMS (HIMS), SHLD (ETF Global X Defense Tech), IWM (ETF iShares Russell 2000 від BlackRock) і FLNC (ETF Fluence Energy) — ф’ючерси з безпосереднім виконанням (perpetual) з підтримкою розрахунків у USDT, із можливістю позицій у діапазоні 1–20 разів як для довгих, так і для коротких. DRAM — перший у світі ETF виключно на тему чипів пам’яті: у найбільших частках Micron, SK hynix, Samsung Electronics та інші гіганти зберігання даних; фокус на DRAM, NAND флеш-пам’яті та HBM високошвидкісній пам’яті. HIMS — американська онлайн-платформа телемедицини для дистанційного лікування. SHLD пасивно відстежує глобальний індекс оборонно-промислових компаній, із найбільшими частками оборонних підприємств США. IWM відстежує індекс Russell 2000 і охоплює 2000 американських компаній зі зростанням із середньою ринковою капіталізацією. FLNC — світовий лідер систем зберігання енергії, основний бізнес — обладнання для зберігання енергії з великих літієвих батарей.2026-05-18 06:11Nvidia має обігнати Apple як найбільший користувач LPDDR до 2027 року, обсяг здатен досягти 6,041 млрд ГБЗа даними Hana Securities і Citrini Research, Nvidia, як очікується, стане найбільшим користувачем low-power DRAM (LPDDR) у 2027 році завдяки сплеску попиту на AI-сервери. Обсяг потужностей LPDDR Nvidia оцінюють у зростанні з 3,144 мільярда GB у 2026 році до 6,041 мільярда GB у 2027 році, що перевищить Apple і Samsung Electronics та становитиме 36% від світових загальних поставок. Аналітики пояснили цей зсув появою новіших AI-систем на кшталт Vera Rubin від Nvidia, які споживають значно більше пам’яті, ніж традиційні пристрої.2026-05-16 15:21Роздрібний інвестор купує 55 акцій нового ETF на пам’ять для ШІ 11 травня, виділяє 7% портфеля на DRAM11 травня Брайан Емес, 43-річний керівник роздрібного магазину з Летбріджа, провінція Альберта, придбав 55 акцій Roundhill Memory ETF (DRAM), який стартував лише на початку квітня. Нині ця позиція становить приблизно 7% його портфеля, тож це зосереджена ставка на акції, пов’язані з штучним інтелектом і чипами пам’яті. Емес зробив покупку, спираючись на обговорення в тредах Reddit і відео на YouTube, де підкреслювали попит на пам’яті, зумовлений AI. Він розглядав це як торгову можливість, яку не міг собі дозволити проґавити.2026-05-15 12:58Еволюція AI-агентів спричиняє дефіцит DRAM до 30–50%, а наступний стрибок цін може насунутися вже в 2027 році: Guotai HaitongЗа даними Guru Club, 15 травня дослідження Guotai Haitong Securities встановило, що інфляція в ланцюгах постачання, керована ШІ, перебудовує розподіл у секторі напівпровідників. Традиційні дефіцити DRAM уже сягнули 30-50%, а ціни стрімко зростають, оскільки AI-акселератори змагаються за ресурси HBM. Тим часом Amazon AWS і Google Cloud зламали дворічнева цінову тенденцію до зниження, щоб підняти комісії, сигналізуючи про те, що тиск на витрати рухається далі — до споживачів. Очікується, що еволюція AI Agent від чату до дій запустить наступний цикл інфляції. Витрати токенів зросли у 300 разів у 2024-2025 роках, причому кожне завдання Agent потребує у десятки разів більше обчислень у бекенді, ніж звичайна розмова. Це стимулюватиме експоненційне зростання попиту на HBM, але розширення пропозиції впирається в «вузькі місця» через споживання пластин і обмеження щодо виходу придатної продукції: відчутного розвантаження потужностей не очікується раніше ніж у 2027-2028 роках.2026-05-13 06:31Samsung планує розпочати серійне масове виробництво модулів пам’яті для AI-серверів із CXL 3.1 у четвертому кварталі (Q4)За даними The Korea Herald, Samsung Electronics планує розпочати масове виробництво модулів пам’яті CXL 3.1 для AI-серверів у четвертому кварталі після тестових відвантажень у третьому кварталі. Модуль CMM-D 3.1 поєднує DRAM і контролер CXL на одній платі, підтримуючи до 1 терабайта з пропускною здатністю 72 гігабайти за секунду на PCIe 6.0. Раніше Samsung відвантажила зразки CXL 2.0 понад 40 компаніям, зокрема Microsoft і Amazon.

Гарячі публікації про Roundhill Memory ETF (DRAM)

金色财经_

金色财经_

52 хвилин тому
17 травня, ChangXin Technology оновила свою заявку на IPO на фондовій біржі Science and Technology Innovation Board, відновивши процес перевірки на лістинг. Найяскравішими даними у проспекті є чистий прибуток за перший квартал 2026 року у розмірі 33,012 мільярдів юанів, що приблизно становить 4 мільярди юанів на день. Чистий прибуток за один квартал, що належить материнській компанії, вже приблизно у 13 разів перевищує річний прибуток за 2025 рік у 1,875 мільярдів юанів. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-c17c8242d3-0fd493bdf1-8b7abd-e5a980) Майже весь ринок, що звільнився через відхід трьох гігантів ------------- DRAM — це найпопулярніший тип пам’яті у сегменті зберігаючих чіпів, і саме тут спостерігається найрізкіше зростання цін у цьому циклі. За даними TrendForce, у першому кварталі 2026 року ціна контракту на DRAM зросла на 93% до 98%, а високошвидкісна пам’ять HBM стала рушієм цього цінового сплеску. Швидке розгортання інфраструктури штучного інтелекту спричинило зростання попиту на DRAM у стандартних AI-серверах у 8-10 разів порівняно з звичайними серверами, а для високорівневої пам’яті HBM, орієнтованої на прискорювачі AI, темпи зростання попиту ще вищі, ніж у звичайного DRAM. Samsung, SK Hynix і Micron — три глобальні гіганти ринку DRAM — переналаштували значну частину виробничих потужностей на високорівневу пам’ять HBM, відмовившись від виробництва звичайного DRAM. HBM по суті є стековою пам’яттю DRAM, але з більш передовим технологічним процесом і вищою валовою маржею; у SK Hynix операційна рентабельність становить до 72%. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-ca4f7d767e-5e99d7deab-8b7abd-e5a980) Безпосередньою ціною такої зміни виробничих ліній стала серйозна нестача поставок звичайного DRAM, такого як DDR4 і DDR5. Цього року у лютому Центр моніторингу цін Національної комісії з розвитку і реформ підтвердив, що з вересня 2025 року по лютий 2026 року глобальний ринок пам’яті продовжує розширюватися, а ціни на DRAM у січні цього року досягли найвищого рівня з 2016 року. Ключовим є те, що виробничі лінії HBM мають довгий цикл переналаштування, і до 2025 року три гіганти вже майже повністю закріпили виробництво на високорівневих лініях HBM, а до 2026 року виробництво HBM буде повністю розпродане заздалегідь, і у короткостроковій перспективі його вже неможливо буде повернути. Очікується, що ціна контракту на DRAM у другому кварталі зросте ще на 58-60% порівняно з попереднім періодом. Основний продукт ChangXin — звичайний DRAM, і у компанії немає бізнесу HBM; цей період прибуткового зростання був зумовлений тим, що три гіганти активно звільнили частину ринку звичайної пам’яті, щоб отримати високий прибуток від HBM. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-341072ddf0-089c3ba8ea-8b7abd-e5a980) **Обсяг виробництва — четвертий у світі** ------------ У цьому ціновому сплеску ChangXin Technology досягла значних результатів завдяки ключовим передумовам: майже повне завантаження виробничих потужностей, покриття основних стандартів продукції та клієнтам — переважно провідним внутрішнім хмарним провайдерам. Зараз компанія має три фабрики з виробництва DRAM на 12-дюймових пластинах у Хефеї та Пекіні, що за обсягом виробництва посідає четверте місце у світі та перше в Китаї. Згідно з проспектом, рівень завантаженості виробництва зросла з 87,06% у 2023 році до 95,73% у 2025 році, і компанія вже майже працює на повну потужність. У 2025 році частка доходу від DDR-серії становила 31,87%, з основним зростанням у DDR5, а LPDDR-серія — 66,43%, з домінуванням LPDDR5/5X. У 2025 році валова маржа DDR-серії становила 41,89%, LPDDR — 37,25%, а загальна валова маржа бізнесу — 41,02%. У порівнянні з 2023 роком, коли валова маржа DDR була негативною —108,76%, зростання цін очевидне. З 2023 по 2025 рік компанія отримала доходи у розмірі 9,087 мільярдів, 24,178 мільярдів і 61,799 мільярдів юанів відповідно, з середньорічним складним темпом зростання 160,78%. У першій половині 2026 року прогнозується дохід у 1100-1200 мільярдів юанів і чистий прибуток у 50-57 мільярдів юанів. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-97fb88fd8d-258586c8b3-8b7abd-e5a980) За даними продажів DRAM за четвертий квартал 2025 року, світова частка ChangXin становить 7,67%, а три гіганти разом контролюють понад 90% світового ринку, з яких Samsung — 36,6%, SK Hynix — 32,9%, Micron — 22,9%. У першому кварталі 2026 року чистий прибуток у розмірі 24,762 мільярдів юанів був другим за величиною після Samsung (близько 215 мільярдів юанів), SK Hynix — близько 183,7 мільярдів юанів, і Micron — близько 93,9 мільярдів юанів. Ціновий драйвер — цінова еластичність прибутку --------- Ця хвиля прибутків здебільшого зумовлена ціновою ситуацією у галузі, а не фундаментальним покращенням структури витрат. DRAM — це типова галузь з високими капітальними витратами, де основною статтею витрат є амортизація обладнання. Згідно з проспектом, у 2025 році сума амортизації склала 24,68 мільярдів юанів, що у 2,3 рази більше, ніж у 2023 році. З 2023 по 2025 рік капітальні витрати становили 43,7 мільярдів, 71,2 мільярдів і 49,7 мільярдів юанів відповідно. Наприкінці 2025 року накопичені збитки сягнули 36,65 мільярдів юанів, головною причиною яких була висока амортизація під час початкового етапу масштабного будівництва. Особливістю галузі з високими капітальними витратами є те, що у періоди високих цін, після покриття фіксованих витрат, додатковий прибуток майже повністю перетворюється у чистий прибуток, з великим фінансовим важелем; у періоди зниження цін прибуток швидко зникає, оскільки фіксовані витрати не зменшуються. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-ea77ef4c0c-b8514417e1-8b7abd-e5a980) **Історично три гіганти у кожному циклі переналаштування виробництва створювали величезні збитки для галузі, і збитковий період ChangXin у 2022–2024 роках є прямим наслідком попереднього циклу спаду.** Аналітики прогнозують, що цей цикл зростання може тривати до середини 2027 року, оскільки структурний тиск на звичайний DRAM з боку переходу на HBM залишається сильним, а три гіганти зберігають стриманість у розширенні виробництва звичайної пам’яті. Однак після 2027 року, якщо попит на AI-сервери знизиться або гіганти змінять свою стратегію виробництва, баланс попиту і пропозиції може знову порушитися. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-5856571cbe-2c2b6bfc5f-8b7abd-e5a980) **Розширення виробництва і технологічне позиціонування у циклі** ----------------- Цей запуск IPO має чітку логіку: цикл зростання ще триває, у компанії достатньо грошових коштів, і відкрито вікно для оцінки на капітальному ринку. Планується залучити 29,5 мільярдів юанів — другий за обсягом фінансування в історії Science and Technology Innovation Board. Ці кошти підуть на модернізацію виробничих ліній з виробництва пам’яті (75 мільярдів юанів), технологічне оновлення DRAM (130 мільярдів юанів) і передові дослідження (90 мільярдів юанів). Основна мета — розширення потужностей, підвищення технологічного рівня та розвиток HBM. Поточний технологічний процес — 16 нм, і без EUV-літографії технологічний прогрес залишається обмеженим, з відставанням від Samsung і SK Hynix у менше ніж 12 нм. Випуск DDR5 — результат ітерації технологій, і у другому кварталі 2026 року частка глобального ринку DDR5 ChangXin вже сягнула 3,97%. HBM — це продуктова лінія з найбільшим технологічним розривом і найвищою маржею. Samsung і SK Hynix вже запустили масове виробництво, Micron — у процесі. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-b65f2341c3-2f1f639efe-8b7abd-e5a980) Зараз ChangXin зосереджена на масовому виробництві DDR4, DDR5 і LPDDR, а зразки HBM3 вже поставляються внутрішнім клієнтам, зокрема Huawei. Планується запустити масове виробництво у Шанхаї наприкінці 2026 року, що відстає від передових технологій галузі на 2–3 покоління. За прогнозами TrendForce, до 2027 року частка HBM у глобальному доході від DRAM зросте з приблизних 12% у 2024 році до понад 35%. Виробники, які не зможуть виробляти HBM, втратять частку на високоростучому ринку. Це також пояснює, чому у залучених коштах передбачено 9 мільярдів юанів на передові технології, і перетворення фінансування ринку у інвестиції у технологічний розвиток — одна з ключових причин, чому цей IPO було вирішено відновити саме зараз. Від циклічного бенефіціара до глобального конкурента ------------ Зараз галузь ще перебуває у циклі зростання, і при повному завантаженні виробництва та високих цінах прибутки триватимуть. Після реалізації планів щодо розширення потужностей, цей період стане найризикованішим для зниження циклу. За прогнозами Omdia, до 2030 року глобальний ринок DRAM досягне 571 мільярда доларів США із середньорічним складним темпом зростання 30,56%, і ринок продовжує зростати, а конкуренція посилюється. Звичайний DRAM — це зрілий ринок, тоді як HBM і високорівнева пам’ять для AI-центрів — це справжні сегменти з високою доданою вартістю. Чи зможе ChangXin до 2028 року масштабувати виробництво HBM3/3E — ключовий фактор визначення довгострокової конкурентної позиції компанії. ![](https://img-cdn.gateio.im/social/moments-decc2ec860-bc4f4e35ee-8b7abd-e5a980) Глобальний ринок DRAM уже понад тридцять років монополізований трьома іноземними компаніями, і ця стабільність зумовлена не технологічними проблемами, а високими вимогами до капіталу, технологічної бази та глибини ланцюга постачань. З 2016 року, коли компанія почала працювати у Хефеї, місцевий державний капітал через компанії, такі як Hefei Urban Construction, здійснює опосередковане володіння акціями, і ця стратегія підтримується з моменту заснування компанії. Тепер, коли вона посідає четверте місце у світі і її квартальний чистий прибуток входить до топ-четвірки, цей перехід є нелегким. Короткостроковий високий прибуток зумовлений циклом, але стабільність циклічного прибутку базується на довгострокових інвестиціях у виробничі потужності та технології. Для китайської індустрії зберігання даних входження у глобальну конкуренцію — лише перший крок. Подальше просування у високорівневі сегменти зберігання визначить, наскільки далеко вона зможе зайти у майбутньому. Цей IPO — не лише джерело фінансування, а й важливий етап у переході ChangXin до наступної фази конкуренції.
0
0
0
0
GateUser-628e6880

GateUser-628e6880

1 годин тому
🚀 Щоденний 3-хвилинний брифінг ринку крипто 📰 Новини дня 🔥 Strategy розглядає зміну дивідендів на тлі планів щодо придбання Bitcoin Майкл Сейлор натякнув на ще одну потенційну покупку Bitcoin компанією Strategy з очікуваним придбанням приблизно 15 466 BTC протягом чотирьох торгових днів. Цей крок може значно збільшити запаси BTC компанії Strategy. ⚡ Банківський комітет Сенату просуває Закон про прозорість ринку цифрових активів Банківський комітет Сенату США схвалив Закон про прозорість ринку цифрових активів (Digital Asset Market Clarity Act) голосуванням 15 проти 9, передавши його на розгляд Сенату. Це подія вважається значним кроком до регуляторної ясності для американської криптоіндустрії. 📉 Гарвард скорочує свої активи в IBIT, тоді як Mubadala збільшує свою частку Фонд Гарвардського університету значно скоротив свої інвестиції в IBIT від BlackRock приблизно на 43% (близько $117 мільйонів) у першому кварталі 2026 року, тоді як суверенний фонд добробуту Абу-Дабі Mubadala збільшив свою частку в IBIT майже до $660 мільйонів, що підкреслює розходження інституційних інтересів у Bitcoin ETF. 📈 Динаміка основних активів (24 год) BTC: -0.2% — Bitcoin показав невелике зниження, торгуючись близько $78 066,25. ETH: +0.4% — Ethereum показав невелике зростання, досягнувши приблизно $2 187,38. BNB: -0.4% — BNB показав невелике падіння, торгуючись близько $652,67. SOL: +0.0% — Solana залишилася стабільною без суттєвих змін, на рівні $86,50. 🚀 Лідери зростання сьогодні EDENUSDC: +75.2% — Значний ріст обсягу торгів і постійний приплив капіталу. EDENUSDT: +74.9% — Значний ріст обсягу торгів і постійний приплив капіталу. KAIAUSDC: +20.9% — Значний ріст обсягу торгів і постійний приплив капіталу. 🎁 Дії на платформі та нагадування 🔥 DRAM Опис активності ⚡ BTC Опис активності Застереження: Цей контент створений моделлю ШІ і призначений виключно для довідки та навчання користувачів. Він не є інвестиційною порадою.
0
0
0
0