伯恩斯坦延长内存市场展望
华尔街投行伯恩斯坦发布了其最新的全球存储行业报告，结论非常明确：半导体内存牛市远未结束。根据该机构的分析，当前的上行周期预计至少将持续到2027年，这与“内存股在2026年上半年取得了惊人的涨幅之后已经触及峰值”的观点相反。
DRAM 和 NAND 价格继续加速
报告强调，各主要内存细分领域的强势仍在延续。6月 DRAM 合约价格再次上行；预计传统 DRAM 将在 2026 年第二季度较 2026 年第一季度实现约 74% 的涨幅。
其他关键预测包括：
- 服务器 DRAM：预计上涨 60% 至 67%
- 移动 DRAM：价格涨幅接近 80%
- PC DRAM 现货价格：6月上涨 5.6% 至 11.5%
- 服务器 DRAM 现货价格：上涨 6.1% 至 26.4%
- NAND 合约价格：预计环比上涨 65% 至 70%，主要受强劲的 SSD 和移动端 NAND 需求支撑。
这些数据表明，定价动能在企业级与消费级内存市场两端都依然保持稳固。
HBM4 价值进一步提升
报告中最重要的预测之一聚焦于 HBM4，这一先进内存技术正在为下一代 AI 加速器提供动力。
伯恩斯坦预计 HBM4 的价格将从今天约每 GB 16.6 美元上升到 2027 年约每 GB 37 美元，意味着实现超过两倍的增长。
当这一影响进一步套用到英伟达的 Vera Rubin NVL72 平台时，效果会更加明显。每个机架大约包含：
- 20.7 TB 的 HBM4
- 54 TB 的 LPDDR5X
按当前定价计算，仅内存内容的成本就超过 200 万美元/机架。根据伯恩斯坦对 2027 年的预测，该内存成本将几乎翻倍，换算下来，在单个产品周期内，每个机架的内存价值预计增加 435%。
半导体龙头继续受益
伯恩斯坦同时上调了对 ASML 的展望：将公司评级提升至 Outperform，并将目标价从 935 美元提高至 1,528 美元。该机构目前认为，ASML 是其 2026 年欧洲半导体设备的首选标的。
与此同时，SK Hynix 的盈利能力预期继续改善：
- 2026 年第二季度 DRAM 毛利率：90.9%
- 2026 年第四季度 DRAM 毛利率预测：92.7%
这些预测反映了当前异常强劲的定价环境，正在支撑先进内存制造商。
供给约束仍是关键驱动因素
需求并不是支撑价格走高的唯一因素。据伯恩斯坦称，内存制造商已经卖空（售罄）了其 2026 年的产能，而有意义的新增供给预计要到 2027 年才会进入市场。
为了进一步强化看涨前景，UBS 已将其自身的 DRAM 价格预测翻倍，并且预计供给约束将持续到 2028 年第二季度，这进一步巩固了行业有利的定价周期可能会远超当前市场假设的预期。
最终观点
伯恩斯坦最新研究表明，半导体内存行业仍处于更长期扩张进程的早期阶段，而非临近见顶。强劲的 AI 基础设施需求、供给紧张的状况、HBM 采用率的提升以及制造商盈利能力的改善，继续支撑“内存牛市仍有显著空间可在 2027 年及之后延续”的观点。
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027 @Gate_Square
