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Little_Star
2026-07-09 16:15:20
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Bernstein 扩展内存市场展望
华尔街投资银行 Bernstein 发布了其最新的全球存储行业报告，结论明确：半导体内存牛市远未结束。根据该公司的分析，当前上升周期预计至少持续到 2027 年，这与认为内存股在 2026 年上半年录得显著涨幅后已达到峰值的观点相左。
DRAM 和 NAND 价格继续加速上涨
报告强调，每个主要内存领域均持续走强。DRAM 合约价格在 6 月再次上涨，传统 DRAM 预计 2026 年第二季度较 2026 年第一季度将实现约 74% 的涨幅。
其他关键预测包括：
- 服务器 DRAM：预计上涨 60% 至 67%
- 移动 DRAM：接近 80% 的价格涨幅
- PC DRAM 现货价格：6 月上涨 5.6% 至 11.5%
- 服务器 DRAM 现货价格：上涨 6.1% 至 26.4%
- NAND 合约价格：预计环比上涨 65% 至 70%，主要受强劲的 SSD 和移动 NAND 需求支撑。
这些数据表明，企业级和消费级内存市场的定价势头依然强劲。
HBM4 价值进一步提升
报告中最显著的预测之一聚焦于 HBM4，这是驱动下一代 AI 加速器的高级内存技术。
Bernstein 预计 HBM4 定价将从目前每 GB 约 16.6 美元上涨至 2027 年的每 GB 约 37 美元，涨幅超过一倍。
当应用于 Nvidia Vera Rubin NVL72 平台时，影响更为惊人。每个机架约包含：
- 20.7 TB 的 HBM4
- 54 TB 的 LPDDR5X
按当前定价计算，仅内存部分就超过每个机架 200 万美元。根据 Bernstein 的 2027 年预测，该内存成本将几乎翻倍，相当于单个产品周期内每个机架的内存价值增长约 435%。
半导体领军企业持续受益
Bernstein 还上调了对 ASML 的展望，将其评级上调至跑赢大盘，并将目标价从 935 美元上调至 1528 美元。该公司现在将 ASML 列为 2026 年欧洲半导体设备首选股。
与此同时，SK 海力士的盈利预期持续改善：
- 2026 年第二季度 DRAM 毛利率：90.9%
- 2026 年第四季度 DRAM 毛利率预测：92.7%
这些预测反映了当前支撑先进内存制造商的异常强劲的定价环境。
供应限制仍是关键驱动因素
需求并非支撑高价的唯一因素。据 Bernstein 称，内存制造商已售罄 2026 年的产能，而可观的新增供应预计要到 2027 年才能进入市场。
进一步支撑看涨前景的是，瑞银已将自身 DRAM 价格预测翻倍，并预计供应限制将持续到 2028 年第二季度，这强化了行业有利定价周期可能远超当前市场预期的预期。
最终观点
Bernstein 的最新研究表明，半导体内存行业仍处于长期扩张的早期阶段，而非接近峰值。强劲的 AI 基础设施需求、紧张的供应条件、HBM 采用率上升以及制造商盈利能力改善，都继续支持内存牛市仍有显著上行空间的观点，这一趋势将持续至 2027 年甚至更久。
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
@Gate_Square
查看原文
Falcon_Official
2026-07-09 13:31:14
伯恩斯坦延长内存市场展望
华尔街投行伯恩斯坦发布了其最新的全球存储行业报告，结论非常明确：半导体内存牛市远未结束。根据该机构的分析，当前的上行周期预计至少将持续到2027年，这与“内存股在2026年上半年取得了惊人的涨幅之后已经触及峰值”的观点相反。
DRAM 和 NAND 价格继续加速
报告强调，各主要内存细分领域的强势仍在延续。6月 DRAM 合约价格再次上行；预计传统 DRAM 将在 2026 年第二季度较 2026 年第一季度实现约 74% 的涨幅。
其他关键预测包括：
- 服务器 DRAM：预计上涨 60% 至 67%
- 移动 DRAM：价格涨幅接近 80%
- PC DRAM 现货价格：6月上涨 5.6% 至 11.5%
- 服务器 DRAM 现货价格：上涨 6.1% 至 26.4%
- NAND 合约价格：预计环比上涨 65% 至 70%，主要受强劲的 SSD 和移动端 NAND 需求支撑。
这些数据表明，定价动能在企业级与消费级内存市场两端都依然保持稳固。
HBM4 价值进一步提升
报告中最重要的预测之一聚焦于 HBM4，这一先进内存技术正在为下一代 AI 加速器提供动力。
伯恩斯坦预计 HBM4 的价格将从今天约每 GB 16.6 美元上升到 2027 年约每 GB 37 美元，意味着实现超过两倍的增长。
当这一影响进一步套用到英伟达的 Vera Rubin NVL72 平台时，效果会更加明显。每个机架大约包含：
- 20.7 TB 的 HBM4
- 54 TB 的 LPDDR5X
按当前定价计算，仅内存内容的成本就超过 200 万美元/机架。根据伯恩斯坦对 2027 年的预测，该内存成本将几乎翻倍，换算下来，在单个产品周期内，每个机架的内存价值预计增加 435%。
半导体龙头继续受益
伯恩斯坦同时上调了对 ASML 的展望：将公司评级提升至 Outperform，并将目标价从 935 美元提高至 1,528 美元。该机构目前认为，ASML 是其 2026 年欧洲半导体设备的首选标的。
与此同时，SK Hynix 的盈利能力预期继续改善：
- 2026 年第二季度 DRAM 毛利率：90.9%
- 2026 年第四季度 DRAM 毛利率预测：92.7%
这些预测反映了当前异常强劲的定价环境，正在支撑先进内存制造商。
供给约束仍是关键驱动因素
需求并不是支撑价格走高的唯一因素。据伯恩斯坦称，内存制造商已经卖空（售罄）了其 2026 年的产能，而有意义的新增供给预计要到 2027 年才会进入市场。
为了进一步强化看涨前景，UBS 已将其自身的 DRAM 价格预测翻倍，并且预计供给约束将持续到 2028 年第二季度，这进一步巩固了行业有利的定价周期可能会远超当前市场假设的预期。
最终观点
伯恩斯坦最新研究表明，半导体内存行业仍处于更长期扩张进程的早期阶段，而非临近见顶。强劲的 AI 基础设施需求、供给紧张的状况、HBM 采用率的提升以及制造商盈利能力的改善，继续支撑“内存牛市仍有显著空间可在 2027 年及之后延续”的观点。
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
@Gate_Square
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华尔街投资银行 Bernstein 发布了其最新的全球存储行业报告，结论明确：半导体内存牛市远未结束。根据该公司的分析，当前上升周期预计至少持续到 2027 年，这与认为内存股在 2026 年上半年录得显著涨幅后已达到峰值的观点相左。
DRAM 和 NAND 价格继续加速上涨
报告强调，每个主要内存领域均持续走强。DRAM 合约价格在 6 月再次上涨，传统 DRAM 预计 2026 年第二季度较 2026 年第一季度将实现约 74% 的涨幅。
其他关键预测包括：
- 服务器 DRAM：预计上涨 60% 至 67%
- 移动 DRAM：接近 80% 的价格涨幅
- PC DRAM 现货价格：6 月上涨 5.6% 至 11.5%
- 服务器 DRAM 现货价格：上涨 6.1% 至 26.4%
- NAND 合约价格：预计环比上涨 65% 至 70%，主要受强劲的 SSD 和移动 NAND 需求支撑。
这些数据表明，企业级和消费级内存市场的定价势头依然强劲。
HBM4 价值进一步提升
报告中最显著的预测之一聚焦于 HBM4，这是驱动下一代 AI 加速器的高级内存技术。
Bernstein 预计 HBM4 定价将从目前每 GB 约 16.6 美元上涨至 2027 年的每 GB 约 37 美元，涨幅超过一倍。
当应用于 Nvidia Vera Rubin NVL72 平台时，影响更为惊人。每个机架约包含：
- 20.7 TB 的 HBM4
- 54 TB 的 LPDDR5X
按当前定价计算，仅内存部分就超过每个机架 200 万美元。根据 Bernstein 的 2027 年预测，该内存成本将几乎翻倍，相当于单个产品周期内每个机架的内存价值增长约 435%。
半导体领军企业持续受益
Bernstein 还上调了对 ASML 的展望，将其评级上调至跑赢大盘，并将目标价从 935 美元上调至 1528 美元。该公司现在将 ASML 列为 2026 年欧洲半导体设备首选股。
与此同时，SK 海力士的盈利预期持续改善：
- 2026 年第二季度 DRAM 毛利率：90.9%
- 2026 年第四季度 DRAM 毛利率预测：92.7%
这些预测反映了当前支撑先进内存制造商的异常强劲的定价环境。
供应限制仍是关键驱动因素
需求并非支撑高价的唯一因素。据 Bernstein 称，内存制造商已售罄 2026 年的产能，而可观的新增供应预计要到 2027 年才能进入市场。
进一步支撑看涨前景的是，瑞银已将自身 DRAM 价格预测翻倍，并预计供应限制将持续到 2028 年第二季度，这强化了行业有利定价周期可能远超当前市场预期的预期。
最终观点
Bernstein 的最新研究表明，半导体内存行业仍处于长期扩张的早期阶段，而非接近峰值。强劲的 AI 基础设施需求、紧张的供应条件、HBM 采用率上升以及制造商盈利能力改善，都继续支持内存牛市仍有显著上行空间的观点，这一趋势将持续至 2027 年甚至更久。
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
@Gate_Square
华尔街投行伯恩斯坦发布了其最新的全球存储行业报告，结论非常明确：半导体内存牛市远未结束。根据该机构的分析，当前的上行周期预计至少将持续到2027年，这与“内存股在2026年上半年取得了惊人的涨幅之后已经触及峰值”的观点相反。
DRAM 和 NAND 价格继续加速
报告强调，各主要内存细分领域的强势仍在延续。6月 DRAM 合约价格再次上行；预计传统 DRAM 将在 2026 年第二季度较 2026 年第一季度实现约 74% 的涨幅。
其他关键预测包括：
- 服务器 DRAM：预计上涨 60% 至 67%
- 移动 DRAM：价格涨幅接近 80%
- PC DRAM 现货价格：6月上涨 5.6% 至 11.5%
- 服务器 DRAM 现货价格：上涨 6.1% 至 26.4%
- NAND 合约价格：预计环比上涨 65% 至 70%，主要受强劲的 SSD 和移动端 NAND 需求支撑。
这些数据表明，定价动能在企业级与消费级内存市场两端都依然保持稳固。
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- 2026 年第四季度 DRAM 毛利率预测：92.7%
这些预测反映了当前异常强劲的定价环境，正在支撑先进内存制造商。
供给约束仍是关键驱动因素
需求并不是支撑价格走高的唯一因素。据伯恩斯坦称，内存制造商已经卖空（售罄）了其 2026 年的产能，而有意义的新增供给预计要到 2027 年才会进入市场。
为了进一步强化看涨前景，UBS 已将其自身的 DRAM 价格预测翻倍，并且预计供给约束将持续到 2028 年第二季度，这进一步巩固了行业有利的定价周期可能会远超当前市场假设的预期。
最终观点
伯恩斯坦最新研究表明，半导体内存行业仍处于更长期扩张进程的早期阶段，而非临近见顶。强劲的 AI 基础设施需求、供给紧张的状况、HBM 采用率的提升以及制造商盈利能力的改善，继续支撑“内存牛市仍有显著空间可在 2027 年及之后延续”的观点。
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
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