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2026-07-28 10:54:45
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USDC 閃迪晚評：反彈多次承壓破位下行，四小時週期反彈遇壓高位佈局空單
消息面：全球儲存晶片需求復甦節奏不及市場前期預期，產業庫存消化速度放緩。科技板塊整體風險偏好回落，資金從儲存賽道持續流出。短期缺少強力產業利好催化，儲存板塊反彈持續性偏弱，多頭資金追漲意願不足。
技術面：四小時級別價格高點持續下移，趨勢BOS空頭結構確立，價格連續下破均線支撐。上方FVG缺口+訂單塊構成核心壓力區間1230-1248，均線系統全面拐頭向下形成層層壓制；下方短期支撐1204，關鍵支撐1180一線。
操作建議：反彈觸及1230-1248壓力區間分批佈局空單，現價附近不激進追空，等待反彈承壓再進場，短線目標先看1204，有效跌破則進一步下看1180。
⚠️科技板塊容易受大盤情緒衝擊，所有單子嚴格設置停損，禁止長期扛單。
（本文僅行情思路分享，不構成任何投資建議）
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DApp安全测试员
· 1小時前
在這種結構下還是等反彈再進場比較穩妥，直接追空容易被套；上方壓力區 1230-1248 值得關注。
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Bear Market Hunter
· 2小時前
空頭趨勢明顯，反彈就是做空的機會。
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$SNDK USDC 閃迪晚評：反彈多次承壓破位下行，四小時週期反彈遇壓高位佈局空單
消息面：全球儲存晶片需求復甦節奏不及市場前期預期，產業庫存消化速度放緩。科技板塊整體風險偏好回落，資金從儲存賽道持續流出。短期缺少強力產業利好催化，儲存板塊反彈持續性偏弱，多頭資金追漲意願不足。
技術面：四小時級別價格高點持續下移，趨勢BOS空頭結構確立，價格連續下破均線支撐。上方FVG缺口+訂單塊構成核心壓力區間1230-1248，均線系統全面拐頭向下形成層層壓制；下方短期支撐1204，關鍵支撐1180一線。
操作建議：反彈觸及1230-1248壓力區間分批佈局空單，現價附近不激進追空，等待反彈承壓再進場，短線目標先看1204，有效跌破則進一步下看1180。
⚠️科技板塊容易受大盤情緒衝擊，所有單子嚴格設置停損，禁止長期扛單。
（本文僅行情思路分享，不構成任何投資建議）
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