R$263,32
-R$10,97(-4,00%)
*Dados atualizados pela última vez: 2026-05-24 23:38 (UTC+8)
Em 2026-05-24 23:38, Roundhill Memory ETF (DRAM) está cotada a R$263,32, com um valor de mercado total de R$12,23B, índice P/L de 0,00 e rendimento de dividendos de 0,00%. Hoje, o preço das ações variou entre R$263,10 e R$272,04. O preço atual está 0,09% acima da mínima do dia e 3,20% abaixo da máxima do dia, com um volume de negociação de 20,84M. Nas últimas 52 semanas, DRAM foi negociada entre R$232,66 e R$274,60, e o preço atual está -4,10% distante da máxima das 52 semanas.
Principais estatísticas de DRAM
Fechamento de ontemR$272,29
Valor de mercadoR$12,23B
Volume20,84M
Índice P/L0,00
Rendimento de dividendos (TTM)0,00%
Lucro Líquido (FY)R$0,00
Receita (FY)R$0,00
Estimativa de ReceitaR$0,00
Ações em Circulação44,91M
Beta (1A)0
Sobre DRAM
A DRAM procura oferecer aos investidores uma exposição direcionada à indústria global de memória de semicondutores. A construção da carteira visa enfatizar empresas líderes de mercado com uma participação significativa de mercado e receita em produtos de memória de semicondutores e tecnologias relacionadas. Os produtos de memória incluem memória de alta largura de banda, memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM), memória flash NAND e unidades de estado sólido que utilizam tecnologia NAND, memória flash NOR, unidades de disco rígido e soluções de memória especializadas ou incorporadas. Este foco visa fornecer uma exposição direcionada a grandes capitais, considerada fundamental para impulsionar o uso de IA. Para seguir a sua estratégia de investimento ativa, o fundo pode deter ações ou derivados, como swaps ou contratos a termo. Os pesos da carteira baseiam-se numa metodologia de capitalização de mercado modificada, sujeita a um limite de 25% para qualquer empresa individual, e refletem a avaliação dos consultores sobre a participação de mercado e receita de cada empresa no setor de memória. O reequilíbrio ocorre pelo menos trimestralmente.
SetorServiços Financeiros
IndústriaGestão de Ativos
SedeNew York,NY,US
Saiba mais sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)
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Um Novo Mundo de Investimento em Compressão ExtremaEste artigo ultrapassa a análise tradicional de ativos individuais, ao centrar-se no novo paradigma da MEME-ificação de ativos. Apresenta uma análise detalhada da transformação estrutural dos ativos globais impulsionada por IA, evidenciando a passagem de ciclos baseados em fundamentais para períodos altamente comprimidos, orientados por narrativas generalizadas.2026-02-04
Perguntas Frequentes sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)
Qual é o preço das ações de Roundhill Memory ETF (DRAM) hoje?
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Roundhill Memory ETF (DRAM) está sendo negociada atualmente a R$263,32, com uma variação de 24h de -4,00%. A faixa de negociação das últimas 52 semanas é de R$232,66 a R$274,60.
Quais são os preços máximo e mínimo em 52 semanas de Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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Qual é o índice preço/lucro (P/L) de Roundhill Memory ETF (DRAM)? O que esse indicador revela?
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Qual é o valor de mercado da Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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Qual é o lucro por ação (EPS) trimestral mais recente de Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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Você deve comprar ou vender Roundhill Memory ETF (DRAM) agora?
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Quais fatores podem afetar o preço das ações da Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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Como comprar ações da Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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Roundhill Memory ETF (DRAM) Últimas Notícias
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A secção de ações com contratos CFD da Gate já está em funcionamento com 53 pares de negociação de CFD, oferecendo uma alavancagem fixa de 4x. Os pares lançados incluem SHLD (GLOBAL X ETF de Defesa e Tecnologia), DRAM (ETF de Memória da Roundhill), GME (GameStop), NBIX (Neurocrine Biosciences), BAX (Butter International), KMI (Kindel Morgan), CFG (Citizen Financial Group), Z (grupo Zillow), DVN (energia Devon), ADP (Automatic Data Processing) e outros.
A quantidade mínima de ordem para cada par é de 0,1. Os contratos CFD são derivados de contratos por diferença de ativos financeiros tradicionais, abrangendo metais, câmbio, índices, matérias-primas e ações americanas populares.2026-05-18 06:25A secção de contratos de ações da Gate será lançada a 18 de maio com contratos perpétuos de DRAM, HIMS, SHLD, IWM e FLNC, com negociação suportada com alavancagem entre 1x e 20xNotícia da Gate 消息, segundo um anúncio oficial da Gate a 18 de maio de 2026
A secção de ações do contrato da Gate será disponibilizada para lançamento a 18 de maio de 2026 às 14:30 (UTC+8) com negociação à vista em tempo real de contratos perpétuos dos seguintes instrumentos: DRAM (ETF de chips de armazenamento de longevidade), HIMS (saúde Hims), SHLD (ETF de tecnologia de defesa do Universo X), IWM (ETF iShares Russell 2000), FLNC (energia Fluens), com liquidação em USDT, oferecendo operações de compra e venda a descoberto com alavancagem de 1-20x.
A DRAM é o primeiro ETF global dedicado exclusivamente a chips de memória, com grandes participações em gigantes do setor como Micron, SK hynix e Samsung Electronics, focando em DRAM, memória flash NAND e memória HBM de alta largura de banda. A HIMS é uma plataforma de telemedicina online nos Estados Unidos. A SHLD acompanha passivamente o índice global de defesa e indústria militar, com forte exposição a empresas de defesa dos EUA. A IWM segue o índice Russell 2000, cobrindo 2000 empresas norte-americanas de crescimento de pequena e média capitalização. A FLNC é a líder global em sistemas de armazenamento de energia, centrando-se em equipamento de armazenamento com baterias de lítio de grande escala.2026-05-18 06:11A Nvidia vai ultrapassar a Apple como o maior utilizador de LPDDR até 2027, com capacidade para atingir 6,041 mil milhões de GBDe acordo com a Hana Securities e a Citrini Research, a Nvidia deverá tornar-se no maior utilizador de DRAM de baixo consumo (LPDDR) em 2027, impulsionada pela forte procura de servidores para IA. A capacidade de LPDDR da Nvidia é estimada em 3,144 mil milhões de GB em 2026, aumentando para 6,041 mil milhões de GB em 2027, ultrapassando a Apple e a Samsung Electronics e representando 36% do total global de fornecimento. Os analistas atribuíram a mudança a sistemas de IA mais recentes como a Vera Rubin da Nvidia, que consomem significativamente mais memória do que os dispositivos tradicionais.2026-05-16 15:21O investidor de retalho compra 55 unidades de um novo ETF de memória de IA no dia 11 de maio, alocando 7% da carteira à DRAMEm 11 de maio, Brian Emes, um gestor de loja de retalho de 43 anos em Lethbridge, Alberta, comprou 55 ações do Roundhill Memory ETF (DRAM), que tinha sido lançado apenas no início de abril. A posição representa agora aproximadamente 7% da sua carteira, tornando-se uma aposta concentrada em ações de inteligência artificial e em chips de memória.
Emes fez a compra com base em discussões em fóruns do Reddit e em vídeos do YouTube que destacavam a procura impulsionada por IA por chips de memória, vendo-a como uma oportunidade de negócio que não podia dar ao luxo de perder.2026-05-15 12:58A evolução dos agentes de IA impulsiona a escassez de DRAM para 30-50%, prevendo-se uma próxima subida de preços em 2027: Guotai HaitongDe acordo com o Guru Club, a 15 de maio, a investigação da Guotai Haitong Securities concluiu que a inflação nas cadeias de abastecimento impulsionada por IA está a remodelar a alocação de semicondutores. As tradicionais falhas de abastecimento de DRAM atingiram 30-50%, com os preços a disparar à medida que os aceleradores de IA competem pelos recursos de HBM. Entretanto, a Amazon AWS e a Google Cloud romperam a queda de preços de duas décadas para aumentar as taxas, sinalizando que a pressão de custos está a passar para a frente, chegando aos consumidores.
A evolução do AI Agent, de chat para ação, deverá despoletar o próximo ciclo de inflação. O consumo de tokens disparou 300 vezes entre 2024-2025, com cada tarefa do Agent a exigir dezenas de vezes mais computação de back-end do que um chat regular. Isto vai impulsionar um crescimento exponencial da procura de HBM, mas a expansão da oferta enfrenta gargalos relacionados com o consumo de wafers e limitações de rendimento, não se esperando um alívio significativo da capacidade antes de 2027-2028.
