受惠於 lon AI 带动的記憶體需求暴增与晶片价格上漲,三星电子今年第一季获利出现爆发式成长。韩媒報导,2026 年第一季营业利益达 57.2 兆韩元(约 38B美元),年增高达 755%,远超市场預期。
营收方面,同期达 133 兆韩元,年增 68%,同样优於市场共识。根据金融数据機构 FnGuide 先前彙整的預測,市场原预期三星第一季营业利益约为 40.2 兆韩元、营收约 119 兆韩元,此次公布数据全面「大幅超车」。
数据中心对高带宽記憶體(HBM)与伺服器 DRAM 的需求急剧上升,排擠原本供应 PC、消费电子与 GPU 产业链的产能。由于短期内晶圓产能无法快速扩张,供给端紧张进一步推升价格。市场传出三星最新 DRAM 报价涨超 100%,远高于 1 月的 70%。在产能排擠下,消费端的 32 GB 記憶體可能会突破 400 美元。
三星财报超预期,2026 Q1 盈利年增 755%
此次业绩爆发,主要受惠于 AI 浪潮带动的记忆体需求飆升。随着生成式 AI、数据中心与高效能运算(HPC)持续扩张,DRAM 与 NAND Flash 价格自 2025 年下半年起逐步回升,并在 2026 年初进一步加速上行,成为推动三星获利的核心动能。
值得注意的是,三星此次仅公布初步合并财报,尚未揭露各事业群(如半导体、行动通讯、显示器等)的细部贡献,完整财报预计将于本月稍晚发布。市场普遍预期,半导体部门将是本季最大获利来源,尤其是高带宽记忆体(HBM)与伺服器 DRAM,已成为 AI 基础设施竞赛中的关键零组件。
市场消息:三星 DRAM 最新报价涨幅超过 100%
另一方面,市场传出三星电子已在 2026 年第一季与客户完成 DRAM 供应价格谈判,涨幅超过 100%,远高于 1 月时约 70% 的调涨幅度。作为全球三大 DRAM 制造商之一,三星的定价策略往往具有指標性;另一大厂 SK Hynix 近期也传出同步上调价格,意味著记忆体市场已进入全面上行週期。
价格飆升的核心动能,来自 AI 伺服器需求爆发。随着大型语言模型与高效能运算(HPC)持续扩张,数据中心对高带宽记忆体(HBM)与伺服器 DRAM 的需求急剧上升,排擠原本供应 PC、消费电子与 GPU 产业链的产能。由于短期内晶圓产能无法快速扩张,供给端紧张进一步推升价格。
记忆体的供需改变有多剧烈呢?过去 DRAM 供应多採年度合约,但在价格剧烈波动下,厂商已转向季度合约,甚至开始评估改为「月度定价」,以更即时反映市场供需。这代表价格波动将更加频繁,市场不确定性显著提高。
在供需缺口短期难以填补的情况下,业界普遍预期记忆体价格仍有上行空间。对消费者而言,这意味著 PC 记忆体、显卡与储存设备价格可能持续攀升,甚至出现高阶 32GB (16GB*2) 记忆体模组突破 400 美元的情境。
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