Gate News消息, según el anuncio oficial de Gate La sección de acciones de contratos CFD de Gate ya está en línea con 53 pares de operaciones de CFD, con un apalancamiento fijo de 4x. Los pares que se han listado incluyen SHLD（ETF de defensa de GLOBAL X）、DRAM（ETF de memoria de Roundhill）、GME（GameStop）、NBIX（biociencias de neurosecreción）、BAX（Batter International）、KMI（Kinder Morgan）、CFG（Citizen Financial Group）、Z（Zillow Group）、DVN（Devon Energy）、ADP（Automatic Data Processing）y otros. La cantidad mínim

Gate News 消消息, según el anuncio oficial de Gate del 18 de mayo de 2026 La sección de acciones tipo “stock” (contratos de acciones) de Gate lanzará por primera vez, el 18 de mayo de 2026 a las 14:30 (UTC+8), la operativa spot en contratos perpetuos reales de DRAM (ETF de chips de memoria de Leníshire), HIMS (salud de Hims), SHLD (ETF de defensa tecnológica Global X País X), IWM (ETF de iShares Russell 2000), FLNC (ETF de energía de Fluene) con liquidación en USDT, ofreciendo operaciones de 1-20x

Según Hana Securities y Citrini Research, Nvidia se espera que se convierta en el mayor usuario de DRAM de baja potencia (LPDDR) en 2027, impulsado por el aumento de la demanda de servidores de IA. Se estima que la capacidad de LPDDR de Nvidia subirá de 3,144 mil millones de GB en 2026 a 6,041 mil millones de GB en 2027, superando a Apple y Samsung Electronics y representando el 36% del suministro total global. Los analistas atribuyeron el cambio a sistemas de IA más nuevos como Vera Rubin de Nv

El 11 de mayo, Brian Emes, un gerente de una tienda minorista de 43 años en Lethbridge, Alberta, compró 55 acciones del Roundhill Memory ETF (DRAM), que solo se había lanzado a principios de abril. La posición ahora representa aproximadamente el 7% de su cartera, lo que la convierte en una apuesta concentrada por la inteligencia artificial y las acciones de chips de memoria. Emes realizó la compra en función de conversaciones en hilos de Reddit y videos de YouTube que destacaban la demanda impul

Según Guru Club, el 15 de mayo, una investigación de Guotai Haitong Securities encontró que la inflación en la cadena de suministro impulsada por IA está reconfigurando la asignación de semiconductores. Las escaseces tradicionales de suministro de DRAM han alcanzado el 30-50%, y los precios se han disparado mientras los aceleradores de IA compiten por recursos de HBM. Mientras tanto, Amazon AWS y Google Cloud han roto su caída de precios de dos décadas para aumentar sus tarifas, señalando que la

De acuerdo con The Korea Herald, Samsung Electronics planea comenzar la producción masiva de sus módulos de memoria CXL 3.1 para servidores de IA en el cuarto trimestre, después de los envíos de muestra en el tercer trimestre. El módulo CMM-D 3.1 combina DRAM y un controlador CXL en una sola placa, con capacidad de hasta 1 terabyte y un ancho de banda de 72 gigabytes por segundo en PCIe 6.0. Samsung anteriormente envió muestras de CXL 2.0 a más de 40 empresas, incluidas Microsoft y Amazon.

Según Citi, la correduría actualizó el precio objetivo de SK Hynix (000660.KS) a 3,1 millones de wones desde 1,7 millones de wones el 12 de mayo, citando tendencias sólidas en la fijación de precios de la memoria y un crecimiento de HBM (memoria de alto ancho de banda) mejor de lo esperado en la segunda mitad de 2026. Citi espera que SK Hynix se beneficie de un aumento del 30% trimestre contra trimestre en los precios de HBM en el 4T de 2026, respaldado por una fijación de precios sólida de DRAM

De acuerdo con Bloomberg Intelligence, el Roundhill Memory ETF (DRAM) se disparó un 6,44% hasta los $56,20 el lunes, superando los 6,5 mil millones de dólares en activos en solo 36 días de cotización, el fondo cotizado más rápido de la historia en alcanzar esa marca, superando a los ETF de Bitcoin, que tardaron entre 43 y 51 días. La subida estuvo impulsada por una fuerte demanda de chips de memoria para IA, y Micron Technology, la mayor participación del ETF con un 27%, ganó un 5% el lunes desp

Según el analista de Bloomberg Eric Balchunas, el Roundhill Memory ETF (DRAM) superó los 6,5 mil millones de dólares en activos en solo 36 días, rompiendo el récord anterior que ostentaba el ETF spot de Bitcoin de BlackRock IBIT, que tardó 43 días en alcanzar el mismo hito. DRAM subió 13% el viernes y atrajo aproximadamente 1 mil millones de dólares en entradas, impulsando su rápido crecimiento de activos.

Mensaje de Gate News, 28 de abril — El fabricante taiwanés de chips de memoria Nanya Technology suministrará DRAM de bajo consumo LPDDR5X para la próxima plataforma de IA Vera Rubin de Nvidia, usando el formato de módulo de memoria SOCAMM2. Nvidia añadirá a Nanya como proveedor de respaldo junto a Samsung Electronics y SK Hynix para reducir el riesgo de suministro y mejorar la capacidad de negociación de precios, al mismo tiempo que mantiene el ...